BPX65 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode

Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon PIN Photodiode
BPX 65
BPX 66
BPX 65
BPX 66
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
q BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit
q BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA)
q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),
geeignet bis 125 ^oC¹⁾
q Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
q BPX 65: high photosensitivity
q BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA)
q Hermetically sealed metal package (TO-18),
suitable up to 125 ^oC¹⁾
Anwendungen
q schneller optischer Empfänger mit groβer
Modulationsbandbreite
Applications
q Fast optical sensor of high modulation
bandwidth
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
BPX 65
BPX 66
Q62702-P27
Q62702-P80
18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch
dichtes Gehäuse, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster
(²/10”), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuse-
boden
18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically
sealed package, solder tabs 2.54 mm (²/10”) lead
spacing, anode marking: projection at package bot-
tom
1) _{Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85} o_C
1) _{For operating conditions of TA > 85} o_{C please contact us.}
Semiconductor Group
342
10.95