FH102A Datasheet, PDF (4/6 Pages) Sanyo Semicon Device – NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amplifier, Differential Amplifier Applications

FH102A
S Parameter
f=100MHz, 200 to 2000MHz(200MHz Step)
f=100MHz, 200 to 2000MHz(200MHz Step)
j50
j25
j100
j150
j10
2.0GHz
2.0GHz
0
10
VCE=2V
IC=3mA
2.0GHz
25 50
VCE=5V
IC=20mA
j200
j250
100 150 250 500
--j10
0.1GHz
0.1GHz
0.1GHz
--j250
--j200
--j150
--j25
VCE=5V
IC=7mA
--j50
--j100
ITR10760
90°
0.1GHz
120°
VCE=5V
VCE=5V ^IC=20mA
IC=7mA
150°
0.1GHz
VCE=2V
IC=3mA
±180°
0.1GHz _{2.0GHz 4}
--150°
--120°
--90°
60°
30°
8 12 16 20 ₀
--30°
--60°
ITR10761
f=100MHz, 200 to 2000MHz(200MHz Step)
f=100MHz, 200 to 2000MHz(200MHz Step)
120°
90°
VCE=5V
IC=20mA
2.0GHz
60°
2.0GHz
j50
j25
150°
2.0GHz
VCE=5V
IC=7mA
30°
VCE=2V
IC=3mA
j10
j100
j150
j200
j250
±180°
0.1GHz 0.04 0.08 0.12 0.16 0.2 ₀
--150°
--120°
--90°
--30°
--60°
ITR10762
0
10
--j10
25
50
2.0GHz
VCE=5V
IC=7mA
100 150 250 500
VCE=5V
IC=20mA 0.1GHz
VCE=2V
IC=3mA
--j250
--j200
--j150
--j25
--j100
--j50
ITR10763
No. A1125-4/6