HP8S36 Datasheet, PDF (4/19 Pages) Rohm – 30V Nch+Nch Middle Power MOSFET

HP8S36
　 　 　 　　 　
lGate charge characteristics (T_a = 25°C)
<Tr1>
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
<Tr2>
Q_g*5
Q_gs*5
Q_gd*5
V_DD ⋍ 15V, I_D = 12A
V_GS = 4.5V
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Q_g*5
Q_gs*5
Q_gd*5
V_DD ⋍ 15V, I_D = 32A
V_GS = 4.5V
　 　 　 　 　 　 　 　 _Datasheet
Values
Unit
Min. Typ. Max.
- 4.8 -
- 2.3 - nC
- 1.1 -
Values
Unit
Min. Typ. Max.
- 47 -
- 19 - nC
- 9.5 -
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (T_a = 25°C)
<Tr1>
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Continuous forward current
Pulse forward current
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
I_S
I_SP*2
V_SD*5
t_rr*5
Q_rr*5
T_a = 25℃
V_GS = 0V, I_S = 2.5A
I_S = 12A, V_GS = 0V
di/dt = 100A/μs
-
- 2.5
A
-
- 48
-
- 1.2 V
- 21.4 - ns
- 11.8 - nC
<Tr2>
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Continuous forward current
Pulse forward current
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
I_S
I_SP*2
V_SD*5
t_rr*5
Q_rr*5
T_a = 25℃
V_GS = 0V, I_S = 2A
I_S = 32A, V_GS = 0V
di/dt = 100A/μs
-
- 2.5
A
-
- 128
- 0.6 0.8 V
- 32 - ns
- 23 - nC
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　
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20160515 - Rev.001