RB095B-40 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Rohm – Schottky barrier diode (Silicon Epitaxial Planer)

Diodes
Schottky barrier diode
(Silicon Epitaxial Planer)
RB095B-40
RB095B-40
zApplications
General rectification
(Common cathode dual chip)
zFeatures
1) Power mold (CPD3)
2) High reliability
3) Low VF & Low IR
zExternal dimensions (Unit : mm)
6.5±0.2
5.1±0.2
　　　 0.1
0.05
2.3±0.2
　　　 0.1
0.5±0.1
zLand size figure
6.0
1.2
0.8
（1）
①
1.5
0.75
0.9
（2） （3） 0.65±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
2-R0.3
0.55±0.1
　　　　 0.55
1.2±0.2
2.2
0.5
2.0
（1）
（2） （3）
R0.45
ROHM : CPD
JEITA : SC-63
0.5
0.95
24.5
① ManufactureDate
1.6
1.6
CPD 2.3 2.3
zStructure
zTaping dimensions (Unit : mm)
2.0±0.05
4.0±0.1
8.0±0.1
φ1.55±0.1
　　　　　 0
0.4±0.1
6.8±0.1
8.0±0.1
φ3.0±0.1
2.7±0.2
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Reverse voltage (repetitive peak)
VRM
45
V
Reverse voltage (DC)
VR
40
V
Average rectified forward current ^∗
IO
6
A
Forward current surge peak (60Hz 1cyc.) ^∗ IFSM
45
A
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
−40 to +150
°C
∗ Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 lo per diode, Tc=120°C
zElectrical characteristic (Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Thermal impedance
Symbol
VF
IR
θjc
Min.
−
−
−
Typ.
−
−
−
Max.
0.55
0.1
6.0
Unit
V
mA
°C/W
Conditions
IF=3.0A
VR=40V
junction to case
Rev.A
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