PZT651T1G Datasheet, PDF (3/4 Pages) ON Semiconductor – NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor

PZT651T1G
300
270
240 ^{TJ = 125C}
NPN
V_CE = 2.0 V
210
180
25C
150
120
-- 55C
90
60
30
0
10 20
50 100 200 500 1.0 A 2.0 A 4.0 A
I_C, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 1. Typical DC Current Gain
250
225
T_J = 125C
200
PNP
V_CE = --2.0 V
175
25C
150
125
100
-- 55C
75
50
25
0
--10 -- 20
-- 50 --100 -- 200 -- 500 --1.0 A --2.0 A --4.0 A
I_C, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. Typical DC Current Gain
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
NPN
V_BE(sat) @ I_C/I_B = 10
V_BE(on) @ V_CE = 2.0 V
V_CE(sat) @ I_C/I_B = 10
100 200
500 1.0 A
I_C, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. On Voltages
2.0 A 4.0 A
NPN
1.0
0.9
0.8
T_J = 25C
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I_C = 10 mA I_C = 100 mA I_C = 500 mA
I_C = 2.0 A
0.2
0.1
0
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I_B, BASE CURRENT (mA)
50 100 200 500
Figure 5. Collector Saturation Region
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--50
PNP
V_BE(sat) @ I_C/I_B = 10
V_BE(on) @ V_CE = 2.0 V
V_CE(sat) @ I_C/I_B = 10
--100 --200
--500 --1.0 A
I_C, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. On Voltages
--2.0 A --4.0 A
PNP
--1.0
--0.9
--0.8
T_J = 25C
--0.7
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
I_C = --500 mA
I_C = --2.0 A
--0.2
--0.1
I_C = --10 mA I_C = --100 mA
0
--0.05 --0.1 --0.2 --0.5 --1.0 --2.0 --5.0 --10 --20
I_B, BASE CURRENT (mA)
--50 --100 --200 --500
Figure 6. Collector Saturation Region
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