2SD1060 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Unisonic Technologies – NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

2SD1060
hFE -- IC
1000
7
5
3
Ta=80^°C
2
25°C
--20°^C
100
7
5
3
2
VCE=2V
10
0.01 ^{2 3 5}
0.1 ^{2 3 5}
1.0 ^{2 3 5}
10 ²
Collector Current, IC -- A
ITR08440
VCE(sat) -- IC
10
IC / IB=20
5
3
2
1.0
5
3
2
0.1
5
3
2
0.01
23 5
2
25^°C
Ta=80^°C
--20^°C
0.1 ^{2 3 5} 1.0 ^{2 3 5} 10 ²
Collector Current, IC -- A
ITR08444
ASO
10 ^ICP=9A
7
5
IC=5A
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1 ^{1ms to 100ms : Single pulse}
5 7 _1.0
23
5 7 ₁₀
2 3 5 7 ₁₀₀
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR08448
PC -- Tc
35
10
5
3
2
1.0
5
3
2
0.1
5
3
2
0.01
23 5
10
7
5
VCE(sat) -- IC
IC / IB=10
25^°C
Ta=80^°C
--20^°C
0.1 ^{2 3 5} 1.0 ^{2 3 5} 10 ²
Collector Current, IC -- A
ITR08442
VBE(sat) -- IC
3
2
1.0
IC / ^IB=10
7
IC / ^IB=20
5
3
2
23 5
2.0
1.8
1.75
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
0.1 ^{2 3 5} 1.0 ^{2 3 5} 10 ²
Collector Current, IC -- A
ITR08446
PC -- Ta
No _{heat sink}
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT12873
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Case Temperature, Tc -- °C
ITR08449
No.686-3/4