NSB9435T1_06 Datasheet, PDF (2/5 Pages) ON Semiconductor – High Current Bias Resistor Transistor

NSB9435T1
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance
Junction−to−Case
Junction−to−Ambient on 1″ sq.(645 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material
Junction−to−Ambient on 0.012″ sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 5 s
Symbol
R_qJC
R_qJA
R_qJA
T_L
Value
42
80
174
260
Unit
_C/W
_C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A = 25°C unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
Characteristics
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector−Emitter Sustaining Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IC = 10 mAdc, IB = 0 Adc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Emitter−Base Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^(IE ^{= 50 mAdc, I}C ^{= 0 Adc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Collector Cutoff Current
(V_CE = 25 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(VCE = 25 Vdc, TJ = 125°C)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Emitter Cutoff Current
(V_BE = 5.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{ON CHARACTERISTICS (Note 1)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector−Emitter Saturation Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ (I_C = 1.2 Adc, I_B = 20 mAdc)
(I_C = 3.0 Adc, I_B = 0.3 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Base−Emitter Saturation Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Base−Emitter On Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^(IC ^{= 1.2 Adc, V}CE ^{= 4.0 Vdc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ DC Current Gain
(I_C = 0.8 Adc, V_CE = 1.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ (IC = 1.2 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
(I_C = 3.0 Adc, V_CE = 1.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _Resistor
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{DYNAMIC CHARACTERISTICS}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Output Capacitance
(V_CB = 10 Vdc, I_E = 0 Adc, f = 1.0 MHz)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Input Capacitance}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(VEB = 8.0 Vdc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Current−Gain − Bandwidth Product (Note 2)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^(IC ^{= 500 mA, V}CE ^{= 10 V, F}test ^{= 1.0 MHz)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%.}
Symbol Min Typ Max Unit
V_CEO(sus)
30
−
Vdc
−
V_EBO
6.0
−
Vdc
−
I_CER
mAdc
−
−
20
−
−
200
I_EBO
mAdc
−
−
700
V_CE(sat)
V_BE(sat)
V_BE(on)
h_FE
R1
Vdc
− 0.155 0.210
−
− 0.275
−
− 0.550
Vdc
−
− 1.25
Vdc
−
− 1.10
−
125 220
−
110
−
−
90
−
−
7.5 10 12.5 kW
C_ob
pF
−
100 150
C_ib
pF
−
135
−
f_T
MHz
−
110
−
2. f_T = |h_FE| S f_test
http://onsemi.com
2