NSB9435T1_06 Datasheet, PDF (1/5 Pages) ON Semiconductor – High Current Bias Resistor Transistor

NSB9435T1
Preferred Device
High Current Bias Resistor
Transistor
PNP Silicon
Features
• Collector −Emitter Sustaining Voltage −
V_CEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ I_C = 10 mAdc
• High DC Current Gain −
h_FE = 125 (Min) @ I_C = 0.8 Adc
= 90 (Min) @ I_C = 3.0 Adc
• Low Collector −Emitter Saturation Voltage −
V_CE(sat) = 0.275 Vdc (Max) @ I_C = 1.2 Adc
= 0.55 Vdc (Max) @ I_C = 3.0 Adc
• SOT−223 Surface Mount Packaging
• ESD Rating − Human Body Model: Class 1B
− Machine Model: Class B
• Pb−Free Package is Available
MAXIMUM RATINGS (T_C = 25°C unless otherwise noted)
Rating
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector−Emitter Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector−Base Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Emitter−Base Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Base Current − Continuous}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector Current − Continuous}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{− Peak}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Total Power Dissipation @ TC = 25_C}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Derate above 25_C}
Total P_D @ T_A = 25_C mounted on 1″ sq.
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd}
material
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Total PD @ TA = 25_C mounted on 0.012″}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd
material
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Operating and Storage Junction}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Temperature Range}
Symbol
V_CEO
V_CB
V_EB
I_B
I_C
P_D
T_J, T_stg
Value Unit
30
Vdc
45
Vdc
± 6.0 Vdc
1.0
Adc
3.0
Adc
5.0
3.0
W
24 mW/_C
1.56
W
0.72
W
– 55 to _C
+ 150
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
1
April, 2006 − Rev. 5
http://onsemi.com
POWER BJT
I_C = 3.0 AMPERES
BV_CEO = 30 VOLTS
V_CE(sat) = 0.275 VOLTS
COLLECTOR 2,4
BASE
1
EMITTER 3
SOT−223
CASE 318E
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
AYW
9435R G
G
1
A
= Assembly Location
Y
= Year
W
= Work Week
9435R = Device Code
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping^†
NSB9435T1
SOT−223 1000/Tape & Reel
NSB9435T1G SOT−223 1000/Tape & Reel
(Pb−Free)
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
Publication Order Number:
NSB9435T1/D