NTE38 Datasheet, PDF (1/3 Pages) NTE Electronics – Silicon Complementary Transistors High Voltage, Medium Power Switch

NTE38 (PNP) & NTE175 (NPN)
Silicon Complementary Transistors
High Voltage, Medium Power Switch
Description:
The NTE38 (PNP) and NTE175 (NPN) complementary silicon transistors are designed for high–
speed switching and linear amplifier applications for high–voltage operational amplifiers, switching
regulators, converters, inverters, deflection stages, and high fidelity amplifiers.
Features:
D Collector–Emitter Sustaining Voltage:
NTE38: V_CEO(sus) = 350V @ I_C = 200mA
NTE175: V_CEO(sus) = 300V @ I_C = 200mA
D Second Breakdown Collector Current:
NTE38 I_S/b = 875mA @ V_CE = 40V
NTE175 I_S/b = 350mA @ V_CE = 100V
D Usable DC Current Gain to 2.0Adc
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V_CEO
NTE38 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V
NTE175 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Collector–Base Voltage, V_CB
NTE38 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE175 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
Emitter–Base Voltage, V_EB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6Vdc
Collector Current, I_C
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Base Current, I_B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Total Power Dissipation (T_C = +25°C), P_D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35W
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.2W/°C
Operating Junction Temperature Range, T_J . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Junction Temperature Range, T_stg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction to Case, R_ΘJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5°C/W
Note 1. Pulse Test (NTE175 Only): Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.