JCS840 Datasheet, PDF (4/12 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
延迟时间 Turn-Off delay time
下降时间 Turn-Off Fall time
tB_dB(on)
t_rB B
tB_dB(off)
t_fB B
VB_DDB=250V,IB_DB=8.0A,RB_GB=25Ω
（note 4，5）
栅极电荷总量 Total Gate Charge
Q_gB
B
栅－源电荷 Gate-Source charge
Q_gs B
B
栅－漏电荷 Gate-Drain charge
Q_gd B
B
V_DS B
B
=400V
,
IB_DB=8.0A
V_GS B
B
=10V
（note 4，5）
JCS840
- 22 55 ns
- 65 140 ns
- 125 260 ns
- 75 160 ns
- 59 70 nC
- 6.5 - nC
- 28 - nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
I_SB
B
- - 8.0 A
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
I_SM B
B
- - 32 A
Drain-Source Diode Forward
V_SD B
B
VB_GSB=0V,
IB_SB=8.0A
- - 1.4 V
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
t_rrB
B
VB_GSB=0V, IB_SB=8.0A
- 390 - ns
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
dIB_FB/dt=100A/μs (note 4)
Q_rrB
B
- 4.2 - μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
最大
符号
Max
Symbol
JCS840S/B/C JCS840F
单位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.93
2.86
℃/W
结到环境的热阻
Rth(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
62.5
62.5
℃/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=9.0mH, IB_ASB=8.0A, VB_DDB=50V, RB_GB=25 Ω,起始结
温TB_JB=25℃
3：I_SD B
B
≤8.0A,di/dt
≤200A/μs,VDD≤BVB_DSSB,起始结温
TB_JB=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1 ： Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=9.0mH, IB_ASB=8.0A, VB_DDB=50V, RB_GB=25 Ω,Starting
TB_JB=25℃
3 ： I_SD B
B
≤8.0A,di/dt
≤200A/μs,VDD≤BVB_DSSB,
Starting
TB_JB=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201007A
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