JCS840 Datasheet, PDF (2/12 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
JCS840
项目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
符号
Symbol
V_DSS B
B
数值
Value
JCS840S/B/C JCS840F
500
连续漏极电流
I_DB
8.0
8.0*
T=25℃
B
Drain Current -continuous
T=100℃
5.1
5.1*
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse （note 1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note
2）
I_DM B
B
V_GSS B
B
E_AS B
B
32
32*
±30
320
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1）
I_AR B
B
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current（note 1）
E_AR B
B
二极管反向恢复最大电压变化速率（注
8.0
13.4
3）
dv/dt
3.5
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
P_DB
T =25℃ B
C^B
B
-Derate
above
25℃
134
1.08
44
0.35
Operating and Storage Temperature
Range
引线最高焊接温度
T ，T _JB
B
STG ^B
B
-55～+150
Maximum
Lead
Temperature
for
T_LB
B
300
Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
单位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本：201007A
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