TIP35C Datasheet, PDF (2/4 Pages) STMicroelectronics – COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS

R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
TIP35C
项目
测试条件
Parameter
Tests conditions
ICEO
VCE=60V,IB=0
IEBO
VEB=5V,IC=0
ICES
VCE=100V, VBE=0
VCEO(SUS)
Ic=30mA,IB=0
VCE(sat)
IC=15A,IB=1.5A
VBE(ON)
VCE=4V,IC=15A
hFE
VCE=4V,IC=1.5A
VCE=4V,IC=15A
fT
VCE=10V, Ic=1.0A
最小值 典型值 最大值
Value(min) Value(typ) Value(max)
-
-
1
-
-
1
-
-
0.7
100
-
-
-
-
1.8
-
-
2.0
25
-
-
10
-
50
3
-
-
单位
Unit
mA
mA
mA
V
V
V
-
-
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case TO-247
符 号 最小值 最大值 单 位
Symbo min max Unit
Rth(j-c)
-
1.0 ℃/W
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-247
单位 Unit ：mm
符号
A
B
B1
b
c
D
E
e
F
L
L2
P
Q
Q1
尺寸（mm）
4.90-5.10
2.95-3.35
1.95-2.35
1.15-1.35
0.50-0.70
20.9-21.1
15.7-15.9
5.34-5.54
1.90-2.10
19.4-20.4
4.03-4.23
3.50-3.70
6.00-6.40
2.30-2.50
版本：201605B
2/4