TIP35C Datasheet, PDF (1/4 Pages) STMicroelectronics – COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS

NPN 硅外延晶体管
R
NPN Epitaxial Silicon Transistor
TIP35C
用途
 应用音频放大
 通用
产品特性
高集电极电压：V_CEO=100V (min)
 低饱和压降
与 TIP36C 互补
 环保（RoHS）产品
封装 Package
TO-247
APPLICATIONS
 Audio amplifier
 General purpose
FEATURES
High collector voltage：V_CEO=100V (min)
Low collector-emitter saturation voltage
Complementary to TIP36C
RoHS product
1. 基极 BASE
2. 集电极（热沉）
COLLECTOR (HEAT SINK)
3. 发射极 EMITTER
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
无卤素
封装
Marking Halogen Free Package
包
装
Packaging
TIP35C-O-W-N-B TIP35C 否 NO
TO-247 条管 Tube
器件重量
Weight
6.00g(typ)
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃ unless otherwise noted)
项目
Parameter
集电极—基极直流电压 Collector- Base Voltage
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
最大集电极电流
Collector Current
最大基极电流
Base Current
最大集电极耗散功率
Collector Dissipation(Tc=25℃)
最高结温
Junction Temperature
贮存温度
Storage Temperature
符号
Symbol
V_CBO
V_CEO
V_EBO
I_C
I_B
P_C
T_j
T_stg
数值
Value
100
100
5
25
5
125
150
-65~150
单位
Unit
V
V
V
A
A
W
℃
℃
版本：201605B
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