FP15R12W1T4_B11 Datasheet, PDF (8/11 Pages) Infineon Technologies AG – IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP15R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
R•ÓÒ = 39 Â, V†Š = 600 V
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
IŒ = 15 A, V†Š = 600 V
1,4
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0 ₀
5
10 15 20 25 30
IΠ[A]
1,0
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
0,9
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0 _{0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400}
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)
forward characteristic of diode-rectifier (typical)
IŒ = f (VŒ)
10
ZÚÌœ™ : Diode
30
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 150°C
25
20
1
15
10
0,10,001
i:
1
2
3
4
rÍ[K/W]: 0,404 0,664 1,174 0,808
τÍ[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,1
1
10
t [s]
5
00,0 _{0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4}
VΠ[V]
prepared by: DK
approved by: MB
date of publication: 2009-10-19
revision: 2.0
8