CLY32 Datasheet, PDF (7/9 Pages) Infineon Technologies AG – HiRel C-Band GaAs Power-MESFET

CLY32
Typical Common Source S-Parameters (continued)
f
[GHz]
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2,0
2,1
2,2
2,3
2,4
2,5
2,6
2,7
2,8
2,9
3,0
3,1
3,2
3,3
3,4
3,5
3,6
3,7
3,8
3,9
4,0
4,1
4,2
4,3
4,4
4,5
4,6
4,7
4,8
4,9
5,0
|S11|
[mag]
0,845
0,830
0,817
0,807
0,804
0,809
0,812
0,814
0,815
0,815
0,816
0,816
0,817
0,817
0,817
0,817
0,817
0,818
0,818
0,819
0,820
0,821
0,821
0,821
0,821
0,822
0,822
0,823
0,823
0,824
0,825
0,826
0,827
0,827
0,828
0,829
0,830
0,831
0,831
0,833
0,834
0,835
0,836
0,837
0,838
0,839
<S11
[ang]
-115
-120
-125
-131
-137
-144
-150
-156
-160
-164
-168
-171
-175
-177
180
178
175
173
171
169
167
165
163
161
160
158
156
155
153
152
150
148
147
145
144
142
141
139
137
136
134
133
132
130
130
129
V_DS = 9 V, I_D = 380 mA, Z_o = 50 Ω
|S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22
[mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang]
8,446 110 0,0278 36 0,257 -147
7,968 107 0,0283 34 0,265 -149
7,445 104 0,0289 32 0,273 -151
6,891 101 0,0296 31 0,283 -153
6,321 96 0,0302 29 0,294 -156
5,755 91 0,0311 27 0,306 -158
5,263 86 0,0316 26 0,317 -161
4,838 81 0,0322 24 0,326 -163
4,470 77 0,0327 23 0,334 -165
4,150 73 0,0331 23 0,342 -167
3,870 70 0,0335 22 0,350 -168
3,621 66 0,0339 22 0,358 -169
3,399 63 0,0341 21 0,366 -170
3,200 60 0,0345 21 0,375 -171
3,020 57 0,0348 21 0,385 -172
2,857 54 0,0353 21 0,395 -173
2,707 51 0,0357 20 0,405 -174
2,570 48 0,0361 20 0,415 -175
2,444 46 0,0366 20 0,424 -176
2,330 43 0,0370 21 0,433 -178
2,228 40 0,0376 21 0,441 -179
2,133 38 0,0381 21 0,448 180
2,045 35 0,0386 21 0,455 179
1,963 33 0,0393 22 0,463 178
1,889 30 0,0399 21 0,471 177
1,820 28 0,0405 22 0,479 176
1,755 26 0,0411 22 0,488 175
1,693 23 0,0419 22 0,498 174
1,632 21 0,0427 23 0,506 173
1,575 19 0,0434 23 0,514 172
1,522 16 0,0447 23 0,523 171
1,473 14 0,0458 23 0,530 169
1,430 12 0,0469 22 0,537 168
1,387 9 0,0482 23 0,545 167
1,346 7 0,0494 22 0,553 166
1,308 5 0,0505 22 0,561 164
1,270 3 0,0515 22 0,569 163
1,234 1 0,0525 22 0,578 162
1,198 -2 0,0539 21 0,586 160
1,163 -4 0,0547 21 0,593 159
1,128 -6 0,0557 20 0,599 157
1,094 -8 0,0567 20 0,605 156
1,065 -10 0,0575 19 0,610 154
1,042 -12 0,0582 19 0,613 153
1,022 -13 0,0590 18 0,615 152
1,007 -15 0,0598 18 0,616 151
k-Fact. S₂₁/S₁₂
[mag] [dB]
0,54 24,8
0,61 24,5
0,69 24,1
0,76 23,7
0,82 23,2
0,84 22,7
0,89 22,2
0,93 21,8
0,98 21,4
1,04 21,0
1,09 20,6
1,14 20,3
1,19 20,0
1,24 19,7
1,29 19,4
1,33 19,1
1,37 18,8
1,41 18,5
1,45 18,2
1,49 18,0
1,51 17,7
1,55 17,5
1,57 17,2
1,60 17,0
1,62 16,8
1,64 16,5
1,65 16,3
1,65 16,1
1,66 15,8
1,67 15,6
1,66 15,3
1,65 15,1
1,63 14,8
1,62 14,6
1,60 14,4
1,58 14,1
1,57 13,9
1,55 13,7
1,53 13,5
1,53 13,3
1,52 13,1
1,52 12,9
1,52 12,7
1,52 12,5
1,51 12,4
1,50 12,3
MAG
[dB]
19,8
18,8
18,0
17,3
16,7
16,1
15,6
15,2
14,7
14,3
13,9
13,5
13,1
12,8
12,5
12,2
11,9
11,6
11,3
11,1
10,8
10,6
10,4
10,2
10,0
9,8
9,7
9,5
9,3
9,2
9,0
8,8
8,6
8,4
8,3
8,2
8,1
Semiconductor Group
7 of 10
Draft D, September 99