DD1200S17H4_B2_16 Datasheet, PDF (4/7 Pages) Infineon Technologies AG – IHM-B Modul

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD1200S17H4_B2
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
2400
2200
2000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VF [V]
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=Ω,VCE=900V
600
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
500
400
300
200
100
0
3,0
0
400 800 1200 1600 2000
IF [A]
2400
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1200A,VCE=900V
500
450
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC : Diode
400
350
300
250
10
200
150
100
50
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
RG [Ω]
1
0,001
preparedby:WB
approvedby:IB
dateofpublication:2016-01-21
revision:V3.1
i:
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2
3
4
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τi[s]:
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0,01
0,1
1
10
t [s]
4