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DD1200S17H4_B2_16 Datasheet, PDF (1/7 Pages) Infineon Technologies AG – IHM-B Modul | |||
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD1200S17H4_B2
IHM-BModul
IHM-Bmodule
TypischeAnwendungen
⢠3-Level-Applikationen
⢠AktiverEingang(Rückspeisung)
⢠Hochleistungsumrichter
⢠Multi-LevelUmrichter
⢠Traktionsumrichter
⢠Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
⢠ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
⢠HoheStromdichte
⢠Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften
⢠4kVAC1minIsolationsfestigkeit
⢠AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
Lastwechselfestigkeit
⢠GehäusemitCTI>400
⢠GroÃeLuft-undKriechstrecken
⢠HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
⢠HoheLeistungsdichte
⢠IHMBGehäuse
VCES = 1700V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
TypicalApplications
⢠3-level-applications
⢠Activefrontend(energyrecovery)
⢠Highpowerconverters
⢠Multilevelinverter
⢠Tractiondrives
⢠Windturbines
ElectricalFeatures
⢠ExtendedoperatingtemperatureTvjop
⢠Highcurrentdensity
⢠Tvjop=150°C
MechanicalFeatures
⢠4kVAC1mininsulation
⢠AlSiC base plate for increased thermal cycling
capability
⢠PackagewithCTI>400
⢠Highcreepageandclearancedistances
⢠Highpowerandthermalcyclingcapability
⢠Highpowerdensity
⢠IHMBhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:WB
approvedby:IB
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
dateofpublication:2016-01-21
revision:V3.1
ULapproved(E83335)
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