HMT451S6MMP8C-S6 Datasheet, PDF (10/40 Pages) Hynix Semiconductor – 204pin DDR3 SDRAM SODIMM

HMT451S6MMP(R)8C
3.1 4GB, 512Mx64 Module(2Rank of x8)
DQS0
DQS0
DM0
DQ [0:7]
DQS
DQS
DM
DQ [0:7]
240ohm
+/-1%
ZQ
D0,D8
(Stacked)
DQS1
DQS1
DM1
DQ [8:15]
DQS
DQS
DM
DQ [0:7]
240ohm
+/-1%
ZQ
D4,D12
(Stacked)
DQS2
DQS2
DM2
DQ [16:23]
DQS
DQS
DM
DQ [0:7]
240ohm
+/-1%
ZQ
D1,D9
(Stacked)
DQS3
DQS3
DM3
DQ [24:31]
DQS
DQS
DM
DQ [0:7]
240ohm
+/-1%
ZQ
D5,D13
(Stacked)
DQS4
DQS4
DM4
DQ [32:39]
DQS
DQS
DM
DQ [0:7]
240ohm
+/-1%
ZQ
D2,D10
(Stacked)
DQS5
DQS5
DM5
DQ [40:47]
DQS
DQS
DM
DQ [0:7]
240ohm
+/-1%
ZQ
D6,D14
(Stacked)
The SPD may be
integrated with the Temp Sensor or may be
a separate component
SCL
SA0
SA1
SCL
A0 ^{Temp Sensor}
A1 ^{(with SPD)}
SDA
A2 _EVENT
EVENT
SCL
SCL
SA0
A0 _(SPD)
SA1
A1
SDA
A2
WP
V_tt
VDDSPD
VREFCA
VREFDQ
VDD
VSS
CK0
CK1
CK0
CK1
CKE0
CKE1
S0
S1
ODT0
ODT1
EVENT
RESET
V_tt
SPD/TS
D0–D15
D0–D15
D0–D15
D0–D7, SPD, TS
D0–D3, D8-D11
D4–D7, D12-D15
D0–D3, D8-D11
D4–D7, D12-D15
D0–D7
D8–D15
D0–D7
D8–D15
D0–D7
D8–D15
Temp Sensor
D0-D15
V1
V2
V3
V4
D4,D12
D5,D13
D6,D14
D7,D15
DQS6
DQS6
DM6
DQ [48:55]
DQS
DQS
DM
DQ [0:7]
240ohm
+/-1%
ZQ
D3,D11
(Stacked)
DQS7
DQS7
DM7
DQ [56:63]
DQS
DQS
DM
DQ [0:7]
240ohm
+/-1%
ZQ
D7,D15
(Stacked)
V1
V2
V3
V4
D0,D8
D1,D9
D2,D10
D3,D11
Vtt
Vtt
VDD
Rev. 0.2 / Apr. 2009
Address and Control Lines
NOTES
1. DQ wiring may differ from that shown how-
ever, DQ, DM, DQS, and DQS relationships are
maintained as shown
Rank 0
Rank 1
VDD
10