V23990-P706-F-D1-14 Datasheet, PDF (2/11 Pages) Vincotech – Maximum Ratings / Höchstzulässige Werte

flow 90PACK 1 600V/ 75A
Characteristic values/ Charateristische Werte
Description
V23990-P706-F-PM
Symbol Conditions
T(C°)
Other conditions
(Rgon-Rgoff)
final data sheet
V23990-P706-F-01-14
Datasheet values
Unit
VR(V) IC(A)
VGE(V) VCE(V) IF(A)
VGS(V) VDS(V) Id(A) Min Typ Max
Transistor Inverter
Transistor Wechselrichter
Gate emitter threshold voltage
Gate-Schwellenspannung
Collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
Collector-emitter cut-off
Kollektor-Emitter Reststrom
Gate-emitter leakage current
Gate-Emitter Reststrom
Integrated Gate resistor
Integrirter Gate Widerstand
Turn-on delay time
Einschaltverzögerungszeit
Rise time
Anstiegszeit
Turn-off delay time
Abschaltverzögerungszeit
Fall time
Fallzeit
Turn-on energy loss per pulse
Einschaltverlustenergie pro Puls
Turn-off energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
Input capacitance
Eingangskapazität
Output capacitance
Ausgangskapazität
Reverse transfer capacitance
Rückwirkungskapazität
Gate charge
Gate Ladung
Thermal resistance chip to heatsink per chip
Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip
Thermal resistance chip to case per chip
Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip
Coupled thermal resistance inverter diode-transistor
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Diode-Transistor
Coupled thermal resistance inverter transistor-transistor
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Transistor-Transistor
V_GE(th) Tj=25°C
Tj=125°C
V_CE(sat) Tj=25°C
Tj=125°C
I_CES Tj=25°C
Tj=125°C
I_GES Tj=25°C
Tj=150°C
R_gint
t_d(on)
t_r
t_d(off)
t_f
E_on
E_off
C_ies
C_oss
C_rss
Q_Gate
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
RthJH
R_thJC
RthJH
RthJH
VCE=VGE
chip data
chip data
1200u 5
15
75
0
600
20
0
Rg=1.2Ohm
Rg=1.2Ohm
Rg=1.2Ohm
Rg=1.2Ohm
f=1MHz
f=1MHz
f=1MHz
±15 300
75
±15 300
75
±15 300
75
±15 300
75
±15 300
75
±15 300
75
0
25
0
25
0
25
Thermal grease
thickness”50um
Warmeleitpaste
Dicke”50um Ȝ = 0,61 W/mK
5,8
6,5
1,56 2,2
1,77
0,5
650
4
158
25
231
79
1,07
2,35
4,7
0,3
0,145
tbd
V
V
mA
nA
Ohm
ns
ns
ns
ns
mWs
mWs
nF
nF
nF
nC
1,06
K/W
K/W
K/W
K/W
Diode Inverter
Diode Wechselrichter
Diode forward voltage
Durchlaßspannung
Peak reverse recovery current
Rückstromspitze
Reverse recovery time
Sperreverzögerungszeit
Reverse recovered charge
Sperrverzögerungsladung
Reverse recovered energy
Sperrverzögerungsenergie
Thermal resistance chip to heatsink per chip
Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip
Thermal resistance chip to case per chip
Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip
Coupled thermal resistance inverter transistor-diode
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Transistor-Diode
Coupled thermal resistance inverter diode-diode
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Diode-Diode
V_F
I_RM
t_rr
Q_rr
Erec
Tj=25°C
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
RthJH
R_thJC
RthJH
RthJH
75
diF/dt = 2200 A/us
-15
300
150
diF/dt = 2200 A/us
-15
300
150
diF/dt = 2200 A/us
-15
300
150
diF/dt = 2200 A/us
-15
300
150
Thermal grease
thickness”50um
Warmeleitpaste
Dicke”50um Ȝ = 0,61 W/mK
1,64 2,25
V
1,61
A
91,2
ns
164
uC
5,88
mWs
1,38
1,63
K/W
K/W
K/W
K/W
Copyright by Vincotech
2
Revision: 1