V23990-P705-F-01-14 Datasheet, PDF (2/11 Pages) Vincotech – Maximum Ratings / Höchstzulässige Werte

flow 90PACK 1 600V/ 50A
Characteristic values/ Charateristische Werte
Description
V23990-P705-F-PM
Symbol Conditions
T(C°)
Other conditions
(Rgon-Rgoff)
final data sheet
V23990-P705-F-01-14
Datasheet values
Unit
VR(V) IC(A)
VGE(V) VCE(V) IF(A)
VGS(V) VDS(V) Id(A) Min Typ Max
Transistor Inverter
Transistor Wechselrichter
Gate emitter threshold voltage
V_GE(th) Tj=25°C
VCE=VGE
430u
5
5,8
6,5
V
Gate-Schwellenspannung
Tj=150°C
Collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
V_CE(sat) Tj=25°C
Tj=125°C
15
50
1,48 2,1
V
1,68
Collector-emitter cut-off
I_CES Tj=25°C
0
600
0,35
mA
Kollektor-Emitter Reststrom
Tj=150°C
Gate-emitter leakage current
I_GES Tj=25°C
20
0
650
nA
Gate-Emitter Reststrom
Tj=150°C
Integrated Gate resistor
R_gint
Integrirter Gate Widerstand
none
Ohm
Turn-on delay time
t_d(on) Tj=25°C
Rgon=8Ohm
15
300
50
ns
Einschaltverzögerungszeit
Tj=125°C
111
Rise time
t_r Tj=25°C
Rgon=8Ohm
15
300
50
ns
Anstiegszeit
Tj=125°C
19
Turn-off delay time
Abschaltverzögerungszeit
t_d(off) Tj=25°C
Tj=125°C
Rgon=8Ohm
15
300
50
ns
196
Fall time
t_f Tj=25°C
Rgon=8Ohm
15
300
50
ns
Fallzeit
Tj=125°C
96
Turn-on energy loss per pulse
E_on Tj=25°C
Rgon=8Ohm
300
mWs
Einschaltverlustenergie pro Puls
0,53
Turn-off energy loss per pulse
E_off Tj=25°C
Rgon=8Ohm
300
mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
1,7
Input capacitance
Eingangskapazität
C_ies Tj=25°C
f=1MHz
0
25
3,14
nF
Output capacitance
C_oss Tj=25°C
f=1MHz
0
25
0,2
nF
Ausgangskapazität
Reverse transfer capacitance
C_rss Tj=25°C
f=1MHz
0
25
0,09
nF
Rückwirkungskapazität
Gate charge
Gate Ladung
Q_Gate Tj=25°C
tbd
nC
Thermal resistance chip to heatsink per chip
Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip
RthJH
Thermal grease
thickness”50um
1,42
K/W
Thermal resistance chip to case per chip
Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip
R_thJC
Warmeleitpaste
Dicke”50um Ȝ = 0,61 W/mK
K/W
Coupled thermal resistance inverter diode-transistor
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Diode-Transistor
RthJH
K/W
Coupled thermal resistance inverter transistor-transistor
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Transistor-Transistor
RthJH
K/W
Diode Inverter
Diode Wechselrichter
Diode forward voltage
Durchlaßspannung
Peak reverse recovery current
Rückstromspitze
Reverse recovery time
Sperreverzögerungszeit
Reverse recovered charge
Sperrverzögerungsladung
Reverse recovered energy
Sperrverzögerungsenergie
Thermal resistance chip to heatsink per chip
Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip
Thermal resistance chip to case per chip
Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip
Coupled thermal resistance inverter transistor-diode
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Transistor-Diode
Coupled thermal resistance inverter diode-diode
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Diode-Diode
V_F
I_RM
t_rr
Q_rr
Erec
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
RthJH
R_thJC
RthJH
RthJH
Vr=300V
di/dt=200 A/μs
Vr=300V
di/dt=200 A/μs
Vr=300V
di/dt=200 A/μs
Thermal grease
thickness”50um
Warmeleitpaste
Dicke”50um Ȝ = 0,61 W/mK
300
50
300
50
300
50
300
50
300
50
1,57
1,52
73,9
151
3,69
0,91
1,9
V
A
ns
uC
mWs
K/W
K/W
K/W
K/W
Copyright by Vincotech
2
Revision: 1