V23990-P629-F56-PM Datasheet, PDF (2/11 Pages) Vincotech – Maximum Ratings

V23990-P629-F56-PM
flow
Characteristic values/ Charateristische Werte
Description
P629-F56 1
Symbol Conditions
T(C°)
Other conditions
(Rgon-Rgoff)
Transistor H-bridge(IGBT)
Transistor H-Brücke(IGBT)
Gate emitter threshold voltage
Gate-Schwellenspannung
Collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
Collector-emitter cut-off
Kollektor-Emitter Reststrom
Gate-emitter leakage current
Gate-Emitter Reststrom
Integrated Gate resistor
Integrirter Gate Widerstand
Turn-on delay time
Einschaltverzögerungszeit
Rise time
Anstiegszeit
Turn-off delay time
Abschaltverzögerungszeit
Fall time
Fallzeit
Turn-on energy loss per pulse
Einschaltverlustenergie pro Puls
Turn-off energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
Input capacitance
Eingangskapazität
Output capacitance
Ausgangskapazität
Reverse transfer capacitance
Rückwirkungskapazität
Thermal resistance chip to heatsink per chip
Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip
VGE(th)
VCE(sat)
ICES
IGES
Rgint
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Cies
Coss
Cies
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
RthJH
VCE=VGE
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
f=1MHz
f=1MHz
f=1MHz
Thermal foil thickness=76um
Kunze foil KU ALF5
final data sheet
V23990-P629-F56-01-14
Datasheet values
Unit
IC(A)
VGE(V) VCE(V) IF(A)
VGS(V) VDS(V) Id(A)
Min
Typ
Max
1m
15
25
0
600
20
0
±15
600
25
±15
600
25
±15
600
25
±15
600
25
±15
600
25
±15
600
25
0
25
0
25
0
25
3
5,5
7
V
2,12
2,9
V
2,24
0,1
mA
200
nA
none
ȍ
ns
131
ns
15
ns
233
ns
92
mWs
1,35
mWs
1,76
2,02
nF
0,19
nF
0,06
nF
0,54
K/W
Diode H-bridge
Diode H-Brücke
Diode forward voltage
Durchlaßspannung
Peak reverse recovery current
Rückstromspitze
Reverse recovery time
Sperreverzögerungszeit
Reverse recovered charge
Sperrverzögerungsladung
Reverse recovered energy
Sperrverzögerungsenergie
Thermal resistance chip to heatsink per chip
Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip
VF
IRM
trr
Qrr
Erec
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
RthJH
Rgon=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Thermal foil thickness=76um
Kunze foil KU ALF5
25
±15
600
25
±15
600
25
±15
600
25
±15
600
25
1
2,65
4
V
2,31
$
54,5
ns
147
uC
3,42
mWs
1,55
1,25
K/W
NTC-Thermistor
NTC-Widerstand
Rated resistance
Nennwiderstand
Deviation of R100
Abweichung von R100
Power dissipation given Epcos-Typ
Verlustleistung Epcos-Typ angeben
B-value
B-Wert
R25 Tj=25°C
Tj=125°C
DR/R Tj=25°C
Tj=125°C
P Tj=25°C
Tj=125°C
B(25/100) Tj=25°C
Tj=125°C
20,9
22
23,1 kOhm
2,9
%/K
210
mW
3980
K
Copyright by Vincotech
Revision:1