U2896B Datasheet, PDF (5/13 Pages) TEMIC Semiconductors – Modulation PLL for GSM, DCS and PCS Systems

U2896B
Electrical Characteristics (continued)
V_S = 2.7 to 5.5 V, T_amb = –20°C to +85°C, final test at 25°C
Parameters
Test Conditions / Pin
Symbol
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Mixer (1900 MHz)}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Output resistance}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{RF input level}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{LO-spurious at}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ^{RF/NRF ports}
MIXLO input level
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _MIXO
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Output level 8) differen-}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _tial
0.5 to 2 GHz
@ P19_MIXLO = –10 dBm
@ P19_RF = –15 dBm
0.05 to 2 GHz
@ P19_MIXLO = –17 dBm
R_MIXO, R_NMIXO
P19_RF
SP19_RF
P19_MIXLO
P19_MIXO
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Carrier suppression}
@ P19_MIXLO = –17 dBm
CS19_MIXO
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Charge-pump output CPO (V_VSP = 5 V; V_CPO = 2.5 V)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ^{Pump-current pulse}
R_CPCH ⁹⁾ = 4.7 kΩ
| I_{CPO_H} |
R_CPCL ¹⁰⁾ = 2.4 kΩ
| I_{CPO_L} |
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Sensivity to VVSP}
D_|
I_CPO
I_CPO
|
D_|
V_VSP
V_VSP
|
S_ICPO
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{VCPO voltage range}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Mode control}
| I_CPO | degradation <
10%
(V_VSP = 2.7 V to 5 V)
V_CPO
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ^{Sink current}
V_MC = VS
I_MC
Power-up input PU (power-up for all functions, except mixer)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Settling time}
Output power within 10%
S_PU
of steady state values
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{High level}
Active
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Low level}
Standby
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ High-level current
Active, V_PUH = 2.2 V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ^{Low-level current}
Standby, V_PUL = 0.4 V
Power-up input PUMIX (power-up for mixer only)
V_PUH
V_PUL
I_PUH
I_PUL
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Settling time}
Output power within 10%
t_setl
of steady state values
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{High level}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Low level}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ High-level current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ^{Low-level current}
Active
Standby
Active, V_PUMIXH = 2.2 V
Standby,
V_PUMIXL = 0.4 V
V_PUMIXH
V_PUMIXL
I_PUMIXH
I_PUMIXL
Min.
–23
–22
–20
1.4
3
0.5
2.0
0
–1
2.0
0
0.1
–1
Typ. Max.
Unit
650
W
–17
dBm
–40
dBm
–12
dBm
70
mVrms
dBc
2
2.6
mA
4
5
mA
0.1
–
V_VSP–0.6 V
60
mA
5
10
ms
V
0.4
V
70
mA
20
mA
5
10
ms
V
0.4
V
70
mA
20
mA
8) _{– 1 dB compression point C = 1.5 pF to GND}
9) _{RCPCH: external resistor to GND for charge-pump current control (MODE 1, 5, only Pin 14 active)}
10) _{RCPCL: external resistor to GND for charge-pump current control (MODE 2, 3, 4, only Pin 13 active)}
Rev. A1, 18-Sep-98
5 (13)
Preliminary Information