U3665M Datasheet, PDF (3/9 Pages) TEMIC Semiconductors – Baseband Delay Line 64 us (Improved Version)

U3665M
Electrical Characteristics
V_DD = 5.0 V, T_amb = 25°C, reference point, Pin 3 and Pin 10 connected together, sandcastle frequency of 15.625 kHz;
unless otherwise specified
Parameters
Test Conditions / Pins
Symbol Min.
Typ.
Max.
Unit
DC-supply
Pin 1, 9
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Supply voltage (analog part)}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Supply voltage (digital part)}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Supply current (analog part)}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply current (digital part)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ^{Power dissipation}
Pin 9
Pin 1
Pin 9
Pin 1
V_DD1
4.5
5.0
5.5
V
V_DD2
4.5
5.0
5.5
V
I_S1
3.5
8.0
mA
I_S2
1
2
mA
P
30
60
mW
Color -ifference input signals
Pin 14, 16
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Input signal}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{(peak-to-peak value)}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ±(R–Y) PAL and NTSC
Pin 16
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ^{±(B–Y) PAL and NTSC}
Pin 14
±(R–Y) SECAM
Pin 16
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{±(B–Y) SECAM}
Pin 14
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Input resistance}
During clamping
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Input capacitance}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Input clamping voltage
Non color input level
during clamping
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Color-difference output signals}
Pin 11, 12
V_i
V_i
V_i
V_i
R₁₄, R₁₆
C₁₄, C₁₆
V₁₄
V₁₆
0.525
1.0
V
0.665
1.0
V
1.05
2.0
V
1.33
2.0
V
40
kW
10
pF
1.45
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Output signal}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{(peak-to-peak value) ±(R–Y)}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ^{±(B–Y)}
Ratio of output amplitudes at
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{equal input signals}
All standards
All standards
Pin 11
V_o
1.05
V
Pin 12
V_o
1.33
V
V₁₁/V₁₂ –0.4
0
+0.4
dB
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{DC output voltage}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Output resistance}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ^{Gain for PAL and NTSC}
Gain for SECAM
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Ratio of output signals for}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{adjacent time samples at}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ constant input signals
Noise voltage
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{(RMS value)}
Pin 11, 12
Pin 11, 12
Ratio V_o / V_i
Ratio V_o / V_i
V_{i 14,16} = 1.33V_pp,
SECAM signals,
Pin 11 / Pin 12
W V_{i 14,16} = 0, R_gen < 300
f = 10 kHz to 1 MHz
Pin 11, 12
V_11,12
R_11,12
3.0
V
400
W
G_v
5.5
6.0
6.5
dB
G_v
–0.5
0
+0.5
dB
V_(n)/
±0.1
dB
V_(n+1)
V_noise
1.2
mV
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Delay of delayed signals}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Delay of non-delayed signals
Transient time of delayed
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _signal
300 ns transient of SECAM
input signal, C_load = 22 pF
Pin 11, 12
t_d
63.94 64.0 64.06
µs
t_d
65
ns
t_tr
550
ns
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Transient time of}
300 ns transient of SECAM
t_tr
350
ns
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ^{non-delayed signal}
input signal, C_load = 22 pF
Pin 11, 12
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Sandcastle-pulse input}
Pin 5
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Sandcastle frequency}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Top pulse voltage
The leading edge of the burst-
key pulse is used for timing
f_SC
14.0 15.625 17.0
kHz
V₅
3
Vs+0.7
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Internal slicing level}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Input current}
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ _{Input capacitance}
V_slice V₅–1.5 V₅–1.25 V₅–1.0
V
I₅
10
µA
C₅
10
pF
TELEFUNKEN Semiconductors
3 (9)
Rev. A1, 17-Jul-96
Preliminary Information