SFH487P Datasheet, PDF (4/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm

Strahlstärke I_e in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity I_e in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
I_F = 100 mA, t_p = 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I_F = 1 A, t_p = 100 µs
Symbol
I_e
I_{e typ.}
Wert
Value
>2
30
Radiation characteristics I_rel = f (ϕ)
40
30
20
10
0
ϕ
1.0
50
0.8
OHR01894
60
0.6
70
0.4
80
0.2
90
0
100
1.0 0.8 0.6
0.4
0 20 40 60 80 100 120
SFH 487 P
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
Semiconductor Group
4
1997-11-01