SFH487P Datasheet, PDF (1/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487 P
Area not flat _3.1
0.6
2.5
0.4
2.0
1.7
4.0
3.6
1.8
1.2
29
4.5
27
4.0
Cathode
Approx. weight 0.3 g
3.5
Chip position
0.6
0.4
GEX06308
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Enge Toleranz: Chipoberfläche/
Bauteiloberkante
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
q Sehr plane Oberfläche
q Gehäusegleich mit SFH 309
Features
q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q High reliability
q Small tolerance: Chip surface to case
surface
q High pulse handling capability
q Good spectral match to silicon
photodetectors
q Plane surface
q Same package as SFH 309
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
q LWL
Applications
q Photointerrupters
q Fibre optic transmission
Typ
Type
SFH 487 P
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q517
Gehäuse
Package
3-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-
Gieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (¹/10’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ
3 mm LED package (T 1), plane, violet-colored trans-
parent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(¹/10’’), anode marking: short lead
Semiconductor Group
1
1997-11-01