BPX80 Datasheet, PDF (4/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays

BPX 80
BPX 82 ... 89
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Werte
Value
-A
-B
-C
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
E_e = 0.5 mW/cm², V_CE = 5 V
I_PCE
E_v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, I_PCE
V_CE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
t_r, t_f
Rise and fall time
I_C = 1 mA, V_CC = 5 V, R_L = 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
V_CEsat
Collector-emitter
saturation voltage
I_C
=
I 1)
PCEmin
×
0.3,
E_e = 0.5 mW/cm²
0.32 ... 0.63 0.40 ... 0.80 ≥ 0.5
1.7
2.2
2.7
5.5
6
8
150
150
150
Einheit
Unit
mA
mA
µs
mV
Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch die
Bestellung einer definierten Gruppe -A, -B, -C nicht möglich.
For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite
group.
1) _{IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe}
1) _{IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group}
Semiconductor Group
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