BPX80 Datasheet, PDF (3/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays

BPX 80
BPX 82 ... 89
Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung
Description
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Verlustleistung, T_A = 25 °C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
I_CS
P_tot
R_thJA
Kennwerte (T_A = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität
Capacitance
V_CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Dunkelstrom
Dark current
V_CE = 25 V, E = 0
Symbol
Symbol
λ_{S max}
λ
A
L×B
L×W
H
ϕ
C_CE
I_CEO
Wert
Value
200
90
750
Einheit
Unit
mA
mW
K/W
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
440 ... 1070 nm
0.17
0.6 × 0.6
1.3 ... 1.9
mm²
mm × mm
mm
± 18
Grad
deg.
6
pF
25 (≤ 200)
nA
Semiconductor Group
3