BPX81 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

BPX 81
Kennwerte (T_A = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität
Capacitance
V_CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Dunkelstrom
Dark current
V_CE = 25 V, E = 0
Symbol
Symbol
L×B
L×W
H
ϕ
C_CE
I_CEO
Wert
Value
0.6 × 0.6
1.3 ... 1.9
Einheit
Unit
mm × mm
mm
± 18
Grad
deg.
6
pF
25 (≤ 200)
nA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
-2
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
E_e = 0.5 mW/cm², V_CE = 5 V
I_PCE
E_v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, I_PCE
V_CE = 5 V
0.25 ... 0.50
1.4
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I_C = 1 mA, V_CC = 5 V, R_L = 1 kΩ
t_r, t_f
5.5
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung V_CEsat 150
Collector-emitter saturation voltage
I_C
=
I 1)
PCEmin
×
0.3
E_e = 0.5 mW/cm²
1)
1)
I_PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
I_PCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Wert
Value
-3
0.40 ... 0.80
2.2
6
150
Einheit
Unit
-4
≥ 0.63 mA
3.4 mA
8
µs
150 mV
Semiconductor Group
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