BPX81 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

BPX 81
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Verlustleistung, T_A = 25 °C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
T_op; T_stg
T_S
T_S
V_CE
I_C
I_CS
P_tot
R_thJA
Wert
Value
– 40 ... + 80
Einheit
Unit
°C
230
°C
300
°C
32
V
50
mA
200
mA
90
mW
750
K/W
Kennwerte (T_A = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Symbol
Symbol
λ_{S max}
λ
A
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
440 ... 1070 nm
0.17
mm²
Semiconductor Group
235