BPX63 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current

BPX 63
Kennwerte (T_A = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (T_A = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Nullpunktsteilheit, E = 0
Zero crossover
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung, E_v = 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom, E_v = 1000 Ix
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R_L = 1 kΩ; V_R = 5 V; λ = 850 nm; I_p = 10 µA
Durchlaßspannung, I_F = 100 mA, E = 0
Forward voltage
Kapazität, V_R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von V_O
Temperature coefficient of V_O
Temperaturkoeffizient von I_SC
Temperature coefficient of I_SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V_R = 1 V, λ = 850 nm
Nachweisgrenze, V_R = 1 V, λ = 850 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
S₀
S_λ
η
V_O
I_SC
t_r, t_f
V_F
C₀
TC_V
TC_I
NEP
D*
Wert
Value
≤ 0.4
0.50
0.73
450 (≥ 380)
10
1.3
Einheit
Unit
pA/mV
A/W
Electrons
Photon
mV
µA
µs
1.3
100
– 2.6
0.16
2.5 × 10^–15
3.9 × 10¹³
V
pF
mV/K
%/K
W
√Hz
cm · √Hz
W
Semiconductor Group
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