BPX63 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current

BPX 63
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, T_A = 25 °C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
T_op; T_stg
T_S
V_R
P_tot
Wert
Value
– 40 ... + 80
Einheit
Unit
°C
230
°C
7
V
200
mW
Kennwerte (T_A = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (T_A = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit, V_R = 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, V_R = 1 V
Dark current
Symbol
Symbol
S
λ_{S max}
λ
A
L×B
L×W
H
ϕ
I_R
Wert
Value
10 (≥ 8)
Einheit
Unit
nA/Ix
800
nm
350 ... 1100 nm
0.97
mm²
0.985 × 0.985 mm
0.2 ... 0.8
mm
± 75
5 (≤ 20)
Grad
deg.
pA
Semiconductor Group
362