BPX48 Datasheet, PDF (3/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode

BPX 48
BPX 48 F
Kennwerte (T_A = 25 °C) für jede Einzeldiode
Characteristics (T_A = 25 °C) per single diode system
Bezeichnung
Description
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, V_R = 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
λ = 850 nm
λ = 950 nm
Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit
der Systeme vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
Quantenausbeute
Quantum yield
λ = 850 nm
λ = 950 nm
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E_v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
E_e = 0.5 mW/cm², λ = 950 nm
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
E_v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
E_e = 0.5 mW/cm², l = 950 nm
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R_L = 1 kΩ; V_R = 5 V; λ = 850 nm; I_p = 20 µA
Durchlaßspannung, I_F = 40 mA, E = 0
Forward voltage
Symbol
Symbol
Wert
Value
BPX 48
BPX 48 F
L × B 0.7 × 2.2 0.7 × 2.2
Einheit
Unit
mm
L×W
H
0.5
0.5
mm
ϕ
± 60
± 60
Grad
deg.
I_R
10 (≤ 100) 10 (≤ 100) nA
S_λ
0.55
–
A/W
S_λ
–
0.65
∆S
±5
±5
%
η
0.8
–
Electrons
Photon
–
0.95
V_O
330 (≥ 280) –
mV
V_O
–
300 (≥ 280) mV
I_SC
24
–
µA
I_SC
–
7
µA
t_r, t_f
500
500
ns
V_F
1.3
1.3
V
Semiconductor Group
350