BPX48 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode

BPX 48
BPX 48 F
Typ
Type
BPX 48
BPW 48 F
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P17-S1
Q62702-P305
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, T_A = 25 °C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
T_op; T_stg
T_S
V_R
P_tot
Wert
Value
– 40 ... + 80
Einheit
Unit
°C
230
°C
10
V
50
mW
Kennwerte (T_A = 25 °C) für jede Einzeldiode
Characteristics (T_A = 25 °C) per single diode system
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V_R = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
V_R = 5 V, λ = 950 nm, E_e = 0.5 mW/cm²
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Symbol
Symbol
Wert
Value
BPX 48
BPX 48 F
Einheit
Unit
S
S
λ_{S max}
λ
24 (≥ 15)
–
900
–
nA/Ix
7.5 (≥ 4.0) µA
920
nm
400 ... 1150 750 ... 1150 nm
A
1.54
1.54
mm²
Semiconductor Group
349