BPX90 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode

BPX 90
BPX 90 F
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, T_A = 25 °C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
T_op; T_stg
T_S
V_R
P_tot
Wert
Value
– 40 ... + 80
Einheit
Unit
°C
230
°C
32
V
100
mW
Kennwerte T_A = 25 °C
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V_R = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
V_R = 5 V, λ = 950 nm, E_e = 1 mW/cm²
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Symbol
Symbol
Wert
Value
BPX 90
BPX 90 F
Einheit
Unit
S
S
λ_{S max}
λ
45 (≥ 32)
–
830
–
26 (≥ 16)
950
nA/Ix
µA
nm
400 ... 1150 800 ... 1150 nm
A
5.5
5.5
mm²
L×B
L×W
H
1.75 × 3.15 1.75 × 3.15 mm × mm
0.5
0.5
mm
Semiconductor Group
2