BP104S Datasheet, PDF (1/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – Neu: Silizium-PIN-Fotodiode, New: Silicon PIN Photodiode

Neu: Silizium-PIN-Fotodiode
New: Silicon PIN Photodiode
Chip position
1.1
0.9
6.7
6.2
4.5
4.3
1.6 ±0.2
BP 104 S
Photosensitive area
2.20 mm x 2.20 mm
Cathode lead
GEO06861
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-
Reflow-Löten
q SMT-fähig
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q IR-Fernsteuerungen
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
q Short switching time (typ. 20 ns)
q Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
q Suitable for SMT
Applications
q Photointerrupters
q IR remote controls
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Typ
Type
BP 104 S
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1605
Semiconductor Group
1
1997-11-19