|
F11S80C3 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Power MOSFET | |||
|
◁ |
F11S80C3
â ç¹æ§å³ CHARACTERISTIC DIAGRAMS
à¥à¾à²à©
Typical Output Characteristics
ÌÌ
ÌÌÌ«
ÌÌ«
7Ì4ÌÌ«
à°»à¡à²à©
Transfer Characteristics
ÌÌ
ÌÌ
̩̲ʵÌÌË
ÌÌË
ÌÌ
ÌÌ
ɹÌÌÌË
ɹÌÌÌË
Ï
ϨΠϯɾιÊεØΦϯà°ß
á´·Ï
ϨΠϯిྲྀ
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
ÌÌ
7(4ʹ7
5DʹÌÌË
Ì
5:1
1VMTF NFBTVSFNFOU
Ì
Ì
ÌÌ
ÌÌ
5DË
5:1
Ì
1VMTF NFBTVSFNFOU
7Ì4ÌÌ«
ÌÌ
Ì
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
%SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7%4ʤ7ʥ
Ì
7%4ÌÌ7
5:1
1VMTF NFBTVSFNFOU
ÌÌ
Ì
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
(BUF 4PVSDF 7PMUBHF 7(4ʤ7ʥ
ÌɽÌ
ÌɽÌ
ÌɽÌÌÉ½Ì ÌɽÌ
ÌÉ½Ì Ì Ì
Ì ÌÌ ÌÌ
%SBJO $VSSFOU *%ʤ"ʥ
Ï
ϨΠϯɾιÊεØΦϯà°ß
á´·ÎÊεԹà±
ήÊÏÍ ÍÍà®à°¿Ñ¹á´·ÎÊεԹà±
Òશà²à¡à¾Ò¬
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case 5emperature Safe Operating Area
ÌÌ
Ì
1VMTF NFBTVSFNFOU
1VMTF NFBTVSFNFOU
ÌÌ
ÌÌ
ÐT
Ì
ÌÌ
Ì
*%ÌÌ"
Ì
3%4Ê¢POÊ£
3FTUSJDUFETQBDF
Ì
ÐT
ÐT
ÌɽÌ
ÌɽÌÌʵÌÌ
7(4ʹ7
1VMTF UFTU
5:1
Ì
ÌÌ
ÌÌÌ
ÌÌÌ
$BTF Ì©FNQFSBUVSF 5DʤËÊ¥
Õ¡à±à³¤à°ß
Transient Thermal Impedance
ÌÌÌ
Ì
Ì
ÌʵÌÌ
7%4ʹÌÌ7
*%ÌÌ N"
5:1
Ì
ÌÌ
ÌÌÌ
ÌÌÌ
$BTF 5FNQFSBUVSF 5DʤËÊ¥
ΩÏÏγλϯεà²à©
Capacitance Characteristics
ÌÌÌÌÌÌ
NT
ÌɽÌ
NT
%$
5DʹÌÌË
4JOHMF QVMTF
ÌɽÌÌÌ
ÌÌ
ÌÌÌ
ÌÌÌ
%SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7%4ʤ7ʥ
શà¬à£¦Ý®à¦à½° á´·ÎÊεԹà±
Power Derating - Case Temperature
ÌÌÌ
ÌÌ
ÌÌÌÌÌ
ÌÌ
ÐKD
Ì̸ÍÍ
Ì
ÌÌÌÌ
ÌÌ
ÌPÍÍ
ÌÌ
ÌÌÌ
ÌÌ
ÌÌ Ì
ÌÌ ÌÌÌÌÌ ÌÌÌ
ÌÌÌ
ÌÌÌ
ÌÌÌ
ÌÌÌ
ÌÌÌ
5JNF UʤTʥ
ήÊÏνÏÊδà²à©
Gate Charge Characteristics
ÌÌÌ
7%4
ÌÌÌ
ÌÌÌ
7%%ÌÌÌÌ«
ÌÌÌÌ«
ÌÌÌÌ«
ÌÌ
*%ÌÌ"
5:1
ÌÌ
7Ì4
ÌÌ
ÌÌÌ
Ì
ÌÌÌ
ÌÌ
ÌSÍÍ
GʹÌ.)[
5DʹÌÌË
5:1
Ì
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌÌ
%SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7%4ʤ̫ʥ
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ ÌÌ ÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ
$BTF 5FNQFSBUVSF 5DʤËÊ¥
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ ÌÌÌÌ
5PUBM (BUF $IBSHF 2HʤO$ʥ
ï¼ Sinewave㯠50Hzã§æ¸¬å®ãã¦ãã¾ãã
ï¼ 50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
ï¼MOSFETã2010.06ãï¼
|