F11S80C3 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Power MOSFET

F11S80C3
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：STO-220
Unit：mm
800V11A
特長
煙低オン抵抗
煙高速スイッチング
煙面実装タイプ
Feature
煙 LowRON
煙 FastSwitching
煙 SMDPackage
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外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,referto ourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（直流）
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
PT
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
規格値
Ratings
－55～150
150
800
±30
11
33
11
50
単位
Unit
℃
V
A
W
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝ 25℃）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝800V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝ ±30V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝ 5.5A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R（DS）ON
ID＝ 5.5A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThressholdVoltage
VTH ID＝ 0.5mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwadeVoltage
VSD
IS＝ 5.5A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc
接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VGS＝10V,ID＝ 11A,VDD＝400V
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝ 25V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr _{ID＝ 5.5A,VDD＝150V,RL＝ 27.3Ω}
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） ^VGS（＋）^{＝ 10V,V}GS（－）^{＝ 0V}
下降時間
Falltime
tf
規格値 Ratings _単位
MIN TYP MAX ^Unit
800 ─ ─
V
─ ─ 25
μA
─ ─ ±0.1
4.2 8.3 ─
S
─ 0.39 0.45 Ω
2.1 3.0 3.9
V
─ ─ 1.5
─ ─ 2.5 ℃/W
─ 54 ─ nC
─ 1690 ─
─ 22 ─ pF
─ 740 ─
─ 21 ─
─ 30 ─
ns
─ 225 ─
─ 35 ─
※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、1.2〔℃/W〕を御使用下さい。但し、上記印加電流、電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。
TheJunctionTemperatureiscalculatedfrom thecasetemperature,thermalresistancevalueuses1.2℃/W.UseintheSafeOperatingAreaforinputcurrentandvoltage.
（MOSFET〈2010.06〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/