SKM200GB123D_06 Datasheet, PDF (1/6 Pages) Semikron International – Trench IGBT Modules

SKM 200GB123D
SEMITRANS^® 3
Trench IGBT Modules
SKM 200GB123D
SKM 200GAL123D
SKM 200GAR123D
Features
 ^{     }
 ^{     }
 ^{    }
 ^{      }
     
 ^{!    "  #}
   $ % &_{ }
 ^{' #}
 ^{( ) #   *+ }
 ^{&   "   }
,*- , *  -  
. 
 ^{   /0   }
    12 
Typical Applications
 ^{+*   }
 ^34
GB
GAL
GAR
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
._ 5 16 7*     #
Values
Units
_*8
&_*
.₉ 5 16 7*
.₉ 5 /62 7*
._ 5 16 7*
._ 5 ;6 7*
/122

122
+
/;2
+
&_*<
&_*<51%&_{* }
022
+
_{=8
 
**} 5 $22 ? ₌₈ @ 12 ?
*8 A /122 
Inverse Diode
.₉ 5 /16 7*
&₍
.₉ 5 /62 7*
._ 5 16 7*
._ 5 ;2 7*
> 12

/2
B
122
+
/02
+
&_(<
&_(<51%&_{( }
022
+
&_(
 5 /2 ?  C
Freewheeling Diode
&₍
.₉ 5 /62 7*
.₉ 5 /62 7*
._ 5 16 7*
._ 5 ;2 7*
/DD2
+
1$2
+
/;2
+
&_(<
&_(<51%&_{( }
D22
+
&_(
Module
 5 /2 ?  C
.₉ 5 /62 7*
/;22
+
& _<
._9
622
+
' D2 CCC E /62 /16
7*
._
' D2CCCE /16
7*
_
+* /  C
1622

Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
._ 5 16 7*     #
min. typ. max. Units
_{=8 }
&_*8
*82
_*8
=8 5 _*8 &_* 5 $ +
₌₈ 5 2  _*8 5 _*8
=8 5 /6 
.₉ 5 16 7*
.₉ 5 16 7*
.₉ 5 /16 7*
.₉ 5 167*
.₉ 5 /167*
D6
66
$6

2/
20
+
/D
/$

/$
/;

F00
G00 H
/2
/1$$ H
_{*8 }
*_
*_
*_
J₌
&_{* } 5 /62 + ₌₈ 5 /6  .₉ 5 7*_{ C
*8} 5 16 ₌₈ 5 2 
# 5 / !I
₌₈ 5 '; ' E12
16
0

/2
/0
(
/6
1
(
2;
/1
(
/622
*
<_{= 
  
}
8_{
 ##
#}
8_##
.₉ 5 7*
<_= 5 6$ H
<_=## 5 6$ H
_** 5 $22
&_{* }5 /62+
.₉ 5 /16 7*
₌₈ 5 '/6
16
K
112
D22

/22
122

1D
L
$22
;22

F2
/22

/F
L
<_{ 9'}
 &=-.
22G MNO
1
07-03-2007 RAA
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