CPH5835_07 Datasheet, PDF (4/6 Pages) Sanyo Semicon Device – MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

CPH5835
10
yfs -- ID
[MOSFET]
7
VDS= --10V
5
3
25^°C
2
1.0
7
Ta=
--25^°C
75^°C
5
3
2
0.1
--0.01 ^{2 3 5 7} --0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5}
Drain Current, ID -- A
IT02735
SW Time -- ID
100
VDD= --10V
[MOSFET]
7 VGS= --4V
5
td(off)
3
tf
2
10
t r _td(on)
7
5
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
0
1000
7
5
3
2
IF -- VSD
[MOSFET]
VGS=0
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V
IT02736
Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET]
f=1MHz
Ciss
100
7
5
Coss
3
Crss
2
3
3 5 7 _--0.1
2 3 5 7 _--1.0
--4
VDS= --10V
ID= --1.5A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
23 5
IT02737
[MOSFET]
--3
--2
--1
0
0
1
2
3
3.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT02739
PD -- Ta
[MOSFET]
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.2
Mounted _{on a ceramic board (600mm 2!0.8mm) 1unit}
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT08391
10
0
--5
--10
--15
--20
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT02738
ASO
[MOSFET]
--10
7 ^{IDP= --6.0A}
5
3
2 _{ID= --1.5A}
<10µs
10m1sms100^µs
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
Operation in this
DC _{operation1(0T0am=2s5°C)}
5
area is limited by RDS(on).
3 Ta=25°C
2 ^{Single pulse}
Mounted on a ceramic board (600mm²!0.8mm) 1unit
--0.01
--0.01 ^{2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7} --10 ^{2 3}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08390
No.8207-4/6