VEC2315 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications

VEC2315
RDS(on) -- VGS
300
250
ID= --1.5A
--0.75A
200
150
100
50
Ta=25°C
RDS(on) -- Ta
300
250
200
150
100
V GVVSG=GSS-=-=4-.--04-1V.50,V.I0,DVI=,DI-=-D0-=.-705-.-7A15.5AA
50
0
0
--2
--4
--6
--8 --10 --12 --14 --16
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT15913
| yfs | -- ID
2
VDS= --10V
10
7
5
3
2
1.0
Ta= ^--25°C
75^°C
25^°C
7
5
3
2
0.1
--0.01 ^{2 3}
2
100
7
5
3
2
5 7 _--0.1 2 3 5 7 _--1.0 2 3 5 7
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15915
VDD= --30V
VGS= --10V
td(off)
tf
10
7
td(on)
tr
5
3
2
--0.1
23
5 7 _--1.0
23
57
Drain Current, ID -- A
IT15917
VGS -- Qg
--10
VDS= --30V
--9 _{ID= --2.5A}
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT15919
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C IT15914
7
IS -- VSD
5
VGS=0V
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.2
2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
--1.2
IT15916
f=1MHz
1000
7
5
3
2
Ciss
100
7
5
Coss
3
Crss
2
0 --5 --10 --15 --20 --25 --30 --35 --40 --45 --50 --55 --60
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT15918
ASO
2
IDP= --10A (PW≤10μs)
--10
7
5
3 ^{ID= --2.5A}
2
--1.0
7
100_μs
100m1s0ms
5
3
2
Operation in this area
--0.1
is limited by RDS(on).
7
5 _Ta=25°C
3 Single pulse
2 When mounted on ceramic substrate
--0.01 ^{(900mm2×0.8mm) 1unit}
--0.01 ^{2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7--10 2 3 5 7--100}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT15920
No.8699-3/4