FTD1011 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – Ultrahigh-Speed Switching Applications

FTD1011
2
VDS=10V
yfs -- ID
10
7
5
3
25^°C
2
1.0
7
Ta= ^{--25°C 75°C}
5
3
2
0.1
--0.01
3
2
2 3 5 7 _--0.1 2 3 5 7 _--1.0 2 3
Drain Current, ID -- A
Ciss, Coss, Crss -- VDS
5 7 --10
IT02302
f=1MHz
1000
7
5
Ciss
3
2
Coss
Crss
100
7
5
0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
SW Time -- ID
5
VDD= --10V
3 ^{VGS= --4V}
--18 --20
IT02304
2
100
7
5
3
2
10
7
--0.1
1.2
td(off)
tf
tr
td(on)
23
5 7 _--1.0
23
57
Drain Current, ID -- A
IT02306
PD -- Ta
--10
7
5
VGS=0
3
2
IF -- VSD
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8
Diode Forward Voltage, VSD -- V
VGS -- Qg
--10
VDS= --10V
--9 _{ID= --3A}
--8
--0.9 --1.0
IT02303
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
Total Gate Charge, Qg -- nC
ASO
3
2 IDP= --15A
IT02305
<10µs
--10
7
5 _{ID= --3A}
3
2
--1.0
7
5
100ms ^10m1sms
DC _operation
3
Operation in this
2
area is limited by RDS(on)
--0.1
7
5
3 ^Ta=25°C
2 Single pulse
--0.01 ^{Mounted on a ceramic board(1000mm2!0.8mm)1unit}
--0.01 ^{2 3 5 7} --0.1 ^{2 3 5 7--1.0 2 3 5 7} --10 ^{2 3}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT02307
PD(FET1) -- PD(FET2)
1.0
1.0
0.8
0.6
0.4
Total
1unit
dissipation
0.2
0 ^{Mounted on a ceramic board(1000mm2!0.8mm)}
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT02308
0.8
0.6
0.4
0.2
Mounted _{on a ceramic board(1000mm 2!0.8mm)}
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Allowable Power Dissipation, PD(FET2) -- W IT02309
No.6593-3/4