FTD1011 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – Ultrahigh-Speed Switching Applications

FTD1011
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Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ”Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--3A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--3A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--3A
IS=--3A, VGS=0
Ratings
Unit
min
typ
max
1000
pF
190
pF
120
pF
13
ns
110
ns
65
ns
75
ns
23
nC
1.6
nC
2.5
nC
--0.8
--1.5
V
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--4V
PW=10µs
D.C.≤1%
VIN
G
VDD= --10V
ID= --3A
RL=3.3Ω
D
VOUT
Electrical Connection
D2 S2 S2 G2
P.G
50Ω
S
D1 S1 S1 G1
ID -- VDS
--6
--5
--4
--3
VGS= --1.5V
--2
--1
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT02298
RDS(on) -- VGS
160
Ta=25°C
140
120
100 ^{ID= --2A --3A}
80
60
40
20
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT02300
--6
VDS=10V
--5
ID -- VGS
--4
--3
--2
--1
0
0
160
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT02299
140
120
100
80
60
IDID==--2--A3A, ^V, _{VGGS=S=--2--.45.V0V}
40
20
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT02301
No.6593-2/4