CPH6339 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

CPH6339
RDS(on) -- VGS
300
300
Ta=25°C
250
250
RDS(on) -- Ta
200
ID= --1.0A _--1.5A
150
100
50
0
0
--2
--4
--6
--8 --10 --12
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
⏐yfs⏐ -- ID
10
7 ^{VDS= --10V}
5
--14 --16
IT13632
3
2
Ta=
--25^°C
75^°C
1.0
7
25^°C
5
3
2
0.1
7
5
--0.01
100
7
5
23
5 7 _--0.1 2 3 5 7 _--1.0
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
2 3 5 7 _--10
IT13634
VDD= --10V
VGS= --10V
3
tf
2
10
td(on)
tr
7
5
3
2
--0.1
23
5 7 _--1.0
23
57
--10
VDS= --24V
--9 ID= --3A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT13636
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT13638
200
150
100
VGVSVG=GS--=S4=-.-04-V-.15, _{0VIVD,=,IDI-D-=1=.-0--1A-.10.A5A}
50
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT13633
IS -- VSD
--10
7
VGS=0V
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.2
2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
--1.2
IT13635
f=1MHz
1000
7
5
Ciss
3
2
100
Coss
7
Crss
5
3
2
0
--5 --10 --15 --20 --25 --30 --35 --40
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13637
ASO
3
2 _{IDP= --12A}
PW≤10μs
--10
7
5 _{ID= --3A}
3
2
--1.0
7
5
3
1ms
DC _{oper1a0ti0omn1s0ms}
100_μs
2
Operation in this
--0.1
area is limited by RDS(on).
7
5 _Ta=25°C
3 Single pulse
2 When mounted on ceramic substrate
--0.01 ^{(900mm2✕0.8mm)}
--0.01 ^{2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7--10 2 3 5 7}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13639
No. A1199-3/4