CPH6339 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

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Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7018A-003
2.9
654
12
0.95
3
0.4
CPH6339
Symbol
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--24V, VGS=--10V, ID=--3A
VDS=--24V, VGS=--10V, ID=--3A
VDS=--24V, VGS=--10V, ID=--3A
IS=--3A, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
680
pF
75
pF
50
pF
10
ns
12
ns
54
ns
27
ns
14
nC
2.2
nC
2.9
nC
--0.85
--1.2
V
Switching Time Test Circuit
0.15
0.05
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
SANYO : CPH6
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
VDD= --24V
ID= --1.5A
RL=16Ω
D
VOUT
CPH6339
P.G
50Ω
S
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
ID -- VDS
--3.5V
VGS= --3.0V
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13630
--6
VDS= --10V
--5
ID -- VGS
--4
--3
--2
--1
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT13631
No. A1199-2/4