CPH5846 Datasheet, PDF (3/6 Pages) Sanyo Semicon Device – MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

CPH5846
Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
VIN
0V
--4V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --10V
ID= --800mA
RL=12.5Ω
D
VOUT
MCH5846
P.G
50Ω
S
trr Test Circuit
[SBD]
Duty≤10%
50Ω
100Ω
10Ω
10µs
--5V
trr
ID -- VDS
[MOSFET]
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
VGS= --1.5V
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
600
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT02731
RDS(on) -- VGS [MOSFET]
Ta=25°C
500
400
--0.8A
300
ID= --0.4A
200
100
0
0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT02733
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
500
ID -- VGS
[MOSFET]
VDS= --10V
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT02732
RDS(on) -- Ta
[MOSFET]
400
300
200
IDID==---0-.04.A8A, ^V, _{VGGS=S=--2--.45.V0V}
100
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT02734
No.8688-3/6