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CPH3341 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH3341
10
7 VDS= --10V
5
3
2
1.0
7
5
yfs -- ID
25°C
Ta= --25°C 75°C
3
2
0.1
--0.01
3
2
100
7
5
23
5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
tf
2 3 5 7 --10
IT10151
VDD= --15V
VGS= --10V
3
2
td(on)
tr
10
7
5
--0.1
23
--10
VDS= --10V
ID= --5A
5 7 --1.0
23
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
--8
5 7 --10
IT10302
--6
--4
--2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT10303
PD -- Ta
1.4
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.2
3
2
1000
7
5
IS -- VSD
VGS=0V
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
--1.2
IT10152
f=1MHz
Ciss
3
2
Coss
Crss
100
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT10154
ASO
5
3 IDP= --20A
<10µs
2
--10
7 ID= --5A
5
3
2
--1.0
7
5
3
Operation in this
DC
100ms101mms1s00µs
operation
2
area is limited by RDS(on).
--0.1
7
5
3 Ta=25°C
2 Single pulse
--0.01 Mounted on a ceramic board (900mm2!0.8mm)
--0.01 2 3 5 7--0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT10156
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Mounted on a ceramic board (900mm 2!0.8mm)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT10146
No. A0091-3/4