CPH3341 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

CPH3341
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Parameter
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--5A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--5A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--5A
IS=--5A, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
21.8
nC
3.3
nC
4.9
nC
--0.85
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm
7015-004
0.4
0.15
3
0.05
1
2
1.9
2.9
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CPH3
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --15V
ID= --2.5A
RL=6Ω
D
VOUT
CPH3341
P.G
50Ω
S
ID -- VDS
--5
--4
--3
--2
VGS= ^--3V
--1
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT10147
RDS(on) -- VGS
140
Ta=25°C
120
100 _{ID= --1.0A}
--2.5A
80
60
40
20
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT10149
--7
VDS= --10V
--6
ID -- VGS
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT10148
RDS(on) -- Ta
120
100
80
ID= ^{--1.0A, VGS= --4V}
60
40
ID= ^{--2.5A, VGS= --10V}
20
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT10247
No. A0091-2/4