CPH3325 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

CPH3325
yfs -- ID
3
VDS= --10V
2
1.0
7
25^°C
5
3
Ta=
--25^°C
75^°C
2
0.1
7
5
--0.01
5
3
2
10
7
5
3
2
23
5 7 _--0.1
23
5 7 _--1.0
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT06239
VDD= --50V
VGS= --10V
td(off)
tf
td(on)
tr
1.0
--0.1
2
3
5
7
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
--10
VDS= --50V
ID= --0.3A
--8
--1.0
IT06241
--6
--4
--2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT06243
PD -- Ta
1.2
IF -- VSD
--1.0
7
VGS=0
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.4
3
2
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT06240
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
100
Ciss
7
5
3
2
10
7
Coss
5
Crss
3
2
1.0
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT06242
ASO
3
2 _{IDP= --1.2A}
<10µs
--1.0
7
5 _{ID= --0.3A}
3
2
10ms
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
Operation in this
area is limited by RDS(on).
3 Ta=25°C
2 Single pulse
--0.001 ^{Mounted on a ceramic board(900mm2!0.8mm)}
--0.01 ^{2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7--10 2 3 5 7--100 2}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT06244
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.2
Mounted _{on a ceramic board(900mm 2!0.8mm)}
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT06245
No.7924-3/4