CPH3325 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

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Parameter
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Package Dimensions
unit : mm
2152A
2.9
0.4
3
1
2
1.9
CPH3325
Symbol
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS= --50V, VGS= --10V, ID= --0.3A
VDS= --50V, VGS= --10V, ID= --0.3A
VDS= --50V, VGS= --10V, ID= --0.3A
IS= --0.3A, VGS=0
Ratings
Unit
min
typ
max
3.0
nC
0.5
nC
0.5
nC
--0.87
--1.2
V
Switching Time Test Circuit
0.15
0.05
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CPH3
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --50V
ID= --150mA
RL=333Ω
D
VOUT
CPH3325
P.G
50Ω
S
ID -- VDS
--0.30
--0.25
--0.20
--2.5V
--0.15
--0.10
--0.05
0
0
8
7
VGS= --2.0V
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT07433
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C
ID= --0.15A
6
5
4
3
2
1
0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT06237
--0.6
VDS= --10V
--0.5
ID -- VGS
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
0
0
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT06236
RDS(on) -- Ta
7
6
5
4
3
I D=I-D-0=.1-5-0A.1, ^{5VAG, SV=G--S4=V--10V}
2
1
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT06238
No.7924-2/4