CPH3318 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET(Ultrahigh-Speed Switching Applications)

CPH3318
yfs -- ID
3
5
VDS= --10V
3
2
2
IF -- VSD
VGS=0
1.0
25^°C
7
5
Ta=
--25^°C
75^°C
3
2
0.1
--0.01
23
5 7 _--0.1
2 3 5 7 _--1.0
100
VDD= --15V
7 _{VGS= --10V}
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
5
23
IT03314
3
2
td(off)
10
7
td(on)
5
tf
3
tr
2
1.0
3
5 7 _--0.1
23
5 7 _--1.0
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
--10
VDS= --10V
ID= --1.0A
--8
23
IT03316
--6
--4
--2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT03318
PD -- Ta
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.2
Mounted _{on a ceramic board(900mm 2!0.8mm)}
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
0
100
7
5
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT03315
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
3
2
Coss
10
Crss
7
5
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03317
ASO
--10
7
5 ^{IDP= --4A}
<10µs
3
2
ID= --1A
--1.0
7
5
3
2
DC
100ms10ms^1m1s00µs
operation
--0.1
Operation in this
7
5
area is limited by RDS(on).
3 _Ta=25°C
2 _{Single pulse}
--0.01 ^{Mounted on a ceramic board(900mm2!0.8mm)}
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3 5}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03882
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT03879
No.7122-3/4